¿Imaginas tener no 16 o 32 GB de almacenamiento en tu smartphone, sino hasta 1 terabyte? Eso es lo que investigadores de la Universidad de Rice, en EE.UU., ven posible gracias a una nueva forma de fabricar memoria RRAM (Resistive random-access memory). Este tipo de memoria está aún en desarrollo, pero el proceso de fabricación descubierto por los investigadores de Rice promete hacerla realidad comercialmente.

La memoria RRAM permite en teoría aumentar la cantidad de información almacenada en un solo chip, en algunos casos hasta 1 terabyte en un chip del tamaño de un sello. También puede operar hasta 100 veces más rápido que la memoria flash. Varias compañías están desarrollándola pero el problema es que su fabricación es cara y compleja. Los investigadores de la Universidad de Rice han dado con una forma de que esa fabricación sea mucho más sencilla y barata.

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El proceso consiste en utilizar varias capas de dióxido de silicio con diminutos poros (de unas 5 micras de diámetro cada uno) entre capas de metales. A medida que se aplica tensión eléctrica al sistema, el metal acaba migrando a los poros del dióxido de silicio, creando un chip de memoria estable, más barato de producir y con capacidad para almacenar hasta 1 terabyte de información.

James Tour, científico que ha liderado el trabajo, ha resumido el objetivo de la investigación a MIT News: "¿Por qué no tenemos todas las películas que nos gustaría en nuestro iPhone? No es porque no quisiéramos, es porque no hay espacio de almacenamiento", explica. Con esta nueva técnica de fabricación de la memoria RRAM se abre una puerta, pero quedan muchos obstáculos aún, como lograr que ese chip de memoria tenga mucha mayor duración en el tiempo (número de veces que se escribe o re-escribe la memoria). Se trata de un paso adelante importante, pero aún lejos de un producto definitivo que alimente nuestros smartphones y tabletas. [Rice University vía MIT News]

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