IBM y Samsung han anunciado conjuntamente un innovador diseño de chip que podría generar importantes mejoras en el rendimiento. De ser una realidad, estiman que podría alargar a una semana completa la duración de la batería de los teléfonos.
El nuevo chip denominado como transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET), desarrollado conjuntamente en el complejo de nanotecnología de Albany en Nueva York, presenta en su núcleo una arquitectura vertical en lugar del método plano (horizontal) habitual.
En esa nueva configuración está la clave de la mejora. Al parecer, al apilar transistores uno encima del otro en lugar del método habitual de lado a lado, el chip VTFET es capaz de elevar drásticamente el techo en términos de la cantidad de transistores que se pueden empaquetar en un área de superficie pequeña. También mejorará los puntos de contacto del transistor, “permitiendo un mayor flujo de corriente con menos energía desperdiciada”, explican.
Los beneficios resultantes serán enormes. IBM y Samsung predicen que reducirá el uso de energía en un 85 por ciento en comparación con los chips de transistores de efecto de campo de aletas (finFET) comparables, mientras que también se prevé una mejora doble en el rendimiento.
No solo eso. Quizás más importante, en el frente de la eficiencia se afirma que esto dará lugar a “baterías de teléfonos móviles que podrían durar más de una semana sin cargarse, en lugar de días”. Según han explicado:
Un hardware de alto rendimiento y bajo consumo de energía representaría un gran impulso para la Internet de las cosas (IoT).
Por último, las mejoras también incluirían campos como la minería de criptomonedas o el cifrado de datos con menor consumo de energía. [The Verge]