En 2015, Intel y Micron anunciaron que estaban desarrollando un nuevo tipo de memoria de estado sólido que sería “1000 veces más rápido y resistente que la memoria NAND” y “10 veces más denso que la DRAM”. Ahora Intel ha presentado la primera memoria SSD con esta tecnología.
La nueva Intel Optane SSD DC P4800X es una unidad SSD de 375 GB en una tarjeta PCIe. Sus características técnicas y de rendimiento la hacen atractiva para el ámbito profesional, especialmente para centros de datos diseñados para soportar altas cargas de lectura/escritura con muy baja latencia.
La P4800X se basa en la tecnología 3D Xpoint de bytes direccionables. Con 3D Xpoint, cada byte individual puede sobrescribirse, algo que no ocurre en las memorias flash tipo NAND convencionales. El resultado es una memoria SSD tan rápida que puede usarse como un enorme módulo de RAM gracias a un software de pago que hace el proceso transparente para el sistema.
La P4800X alcanza velocidades de transferencia de 2400 MB/s en lectura y 2000 MB/s en escritura, lo que está bien pero sigue quedando por detrás de algunas NAND. En cambio, tiene una latencia menor a 10 microsegundos, una milésima de la latencia de NAND y diez veces la latencia de DRAM. Por otro lado, la P4800X es diez veces más densa que una memoria DRAM.
Así, la nueva tecnología 3D Xpoint sobresale por su capacidad para sostener una enorme cantidad de operaciones de entrada/salida por segundo (IOPS). La P4800X puede hacer 550.000 IOPS de lectura y 500.000 IOPS de escritura, incluso en condiciones poco óptimas. En comparación, un SSD de flash NAND alcanza las 300.000-400.000 IOPS.
Intel asegura además que su memoria retiene su latencia con el paso del tiempo y que las escrituras no son destructivas (a diferencia de las flash, que se desgastan físicamente). La P4800X llega al mercado por 1520 dólares con disponibilidad inicial limitada. En el segundo trimestre de 2017 ampliará su disponibilidad y se lanzará otro modelo PCIe de 750GB y un modelo de 375GB en formato U.2. [Intel vía Ars Technica]