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Ciencia

Científicos españoles consiguen mirar dentro de los materiales átomo a átomo por primera vez. La técnica revela cómo se reorganizan los electrones y podría cambiar la forma de diseñar la electrónica del futuro

Un equipo con investigadores del ICMAB-CSIC ha desarrollado una técnica capaz de observar la ocupación de los orbitales electrónicos en columnas atómicas individuales. El salto permite estudiar defectos e interfaces donde pueden aparecer propiedades eléctricas, magnéticas y cuánticas completamente distintas a las del resto del material.
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Durante décadas, los científicos han podido averiguar cómo se distribuyen los electrones dentro de un material, pero había una limitación enorme: gran parte de esa información era una especie de promedio de una zona relativamente grande.

Si en una esquina diminuta del material (quizá alrededor de un único defecto) los electrones se comportaban de una manera completamente diferente, observarlo directamente podía resultar extremadamente difícil.

Un equipo internacional con un papel central del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB-CSIC) acaba de romper esa barrera. La nueva metodología consigue visualizar la ocupación de determinados orbitales electrónicos en columnas atómicas individuales y con precisión inferior a un ångström, una escala menor que la distancia típica entre átomos. El trabajo se publicó en Nature Materials.

Hasta ahora podían ver el material. Lo difícil era saber qué hacían sus electrones en cada átomo

Buena parte de las propiedades de un material depende de cómo están organizados sus electrones. Su distribución puede determinar, entre otras cosas, cómo conduce electricidad, cómo responde magnéticamente o cómo interactúa con otros materiales.

El problema es que los electrones no orbitan alrededor del núcleo como pequeños planetas. Ocupan regiones probabilísticas conocidas como orbitales, y la forma en que esos orbitales se llenan puede cambiar cuando un material es comprimido, estirado o colocado junto a otro diferente.

Las técnicas basadas en dicroísmo lineal de rayos X llevan años permitiendo estudiar esas anisotropías electrónicas, pero su resolución espacial no permite llegar hasta una única columna atómica. El nuevo método sustituye ese enfoque por una combinación de microscopía electrónica de transmisión de barrido (STEM) y espectroscopía de pérdida de energía de electrones (EELS).

El sistema lanza una sonda de electrones de tamaño atómico contra la muestra y analiza cómo cambia su energía dependiendo de la dirección en la que se produce la transferencia de momento. Con esa información puede reconstruirse qué orbitales están ocupados en un lugar extremadamente concreto del material.

Es, en palabras de Jaume Gázquez, investigador del ICMAB-CSIC, como abrir una caja que hasta ahora permanecía cerrada: empiezan a hacerse visibles fenómenos que antes quedaban diluidos dentro de una medición global.

Comprimieron un material y sus electrones cambiaron de sitio

Científicos españoles consiguen mirar dentro de los materiales átomo a átomo por primera vez. La técnica revela cómo se reorganizan los electrones y podría cambiar la forma de diseñar la electrónica del futuro
© Institute of Materials Science of Barcelona.

Para demostrar que la técnica funcionaba, el equipo utilizó películas delgadas de La₀.₇Sr₀.₃MnO₃, un óxido de manganeso especialmente interesante por sus propiedades magnéticas y electrónicas.

Los investigadores modificaron ligeramente su estructura mediante tensión mecánica. Cuando el material estaba sometido a compresión, los electrones de manganeso favorecían orbitales orientados principalmente fuera del plano, conocidos como . Cuando la tensión era expansiva, la ocupación cambiaba hacia orbitales , extendidos principalmente dentro del plano.

Puede parecer una diferencia microscópica, pero estas reorganizaciones afectan directamente al comportamiento macroscópico del material, incluyendo su transporte eléctrico y magnetismo. Y aquí está la auténtica ventaja: el método no necesita estudiar millones de átomos para obtener una respuesta media. Puede buscar qué ocurre en una región concreta, una interfaz o incluso alrededor de un defecto individual.

La próxima electrónica podría depender precisamente de esos átomos “raros”

Los defectos suelen sonar a algo que los fabricantes querrían eliminar. En la ciencia de materiales moderna sucede muchas veces justo lo contrario. Las interfaces entre dos materiales, las distorsiones locales y determinadas imperfecciones pueden generar propiedades que no existen en el resto del cristal. Magnetismo inesperado, cambios en conductividad o comportamientos cuánticos pueden aparecer en apenas unas pocas capas atómicas.

Hasta ahora, saber exactamente qué estaban haciendo los electrones en esos puntos era una de las grandes limitaciones experimentales. La nueva técnica está diseñada precisamente para entrar ahí. Además, los investigadores destacan que puede implementarse en microscopios electrónicos avanzados que ya están disponibles en numerosos laboratorios, sin necesidad de construir una infraestructura completamente nueva.

Eso abre una herramienta potencial para estudiar materiales cuánticos, interfaces, heteroestructuras y componentes electrónicos en los que el comportamiento puede cambiar radicalmente de un átomo al siguiente.

Durante años, los científicos podían conocer las propiedades generales de un material y deducir qué ocurría en su interior. El avance liderado desde Barcelona cambia la escala de la pregunta: ahora pueden empezar a señalar una región de apenas un átomo de ancho y preguntar directamente qué están haciendo allí sus electrones.

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