La wurtzita aparece como candidata para las memorias del futuro
La wurtzita no es un elemento químico, sino una estructura cristalina que pueden adoptar determinados materiales. Algunos de ellos, como el nitruro de aluminio y escandio (AlScN), presentan propiedades ferroeléctricas especialmente interesantes para el desarrollo de nuevos tipos de memoria.
Estos materiales pueden mantener dos estados diferentes de polarización eléctrica, que pueden utilizarse para representar los unos y ceros de la información digital. Además, conservan estos estados incluso cuando dejan de recibir energía, por lo que podrían utilizarse para fabricar memorias no volátiles.
El AlScN se estudia especialmente por su elevada polarización remanente y por la posibilidad de desarrollar dispositivos más pequeños, rápidos y eficientes. Sin embargo, todavía existe un problema importante que limita su aplicación comercial: su degradación después de una gran cantidad de ciclos de escritura.
El problema estaba en las vacantes de nitrógeno
Un equipo de investigadores de la Universidad de Xidian, en China, estudió qué sucede dentro de estos materiales durante su funcionamiento y detectó que parte de la degradación está relacionada con las llamadas vacantes de nitrógeno.
Se trata de defectos presentes en la estructura cristalina que pueden moverse y acumularse cuando el dispositivo es sometido continuamente a campos eléctricos. Con el tiempo, este movimiento afecta el comportamiento del material y puede terminar reduciendo considerablemente su vida útil.
Para resolverlo, los científicos diseñaron una superred formada por capas de AlScN y nitruro de aluminio (AlN). Esta arquitectura permite confinar las vacantes de nitrógeno y reducir su desplazamiento dentro del dispositivo.
Más de 10.000 millones de ciclos de escritura
La nueva estructura consiguió superar los 10.000 millones de ciclos de escritura manteniendo sus propiedades ferroeléctricas. Además del diseño de la superred, los investigadores utilizaron un protocolo de recuperación dinámica.
El procedimiento introduce determinados períodos de recuperación eléctrica durante el funcionamiento del dispositivo. Estos pequeños “descansos” permiten estabilizar nuevamente algunos de los defectos generados durante la escritura y ayudan a prolongar la vida útil del material.
No es la primera vez que un dispositivo basado en AlScN supera los 10.000 millones de ciclos. A comienzos de 2026 otro grupo de investigadores alcanzó valores similares utilizando condensadores ferroeléctricos extremadamente pequeños. Sin embargo, el trabajo de Xidian resulta especialmente interesante porque propone una estrategia para actuar directamente sobre uno de los mecanismos responsables de la degradación.
China busca posicionarse en la próxima generación de memorias
El avance todavía se encuentra en una etapa experimental y no significa que las memorias basadas en wurtzita vayan a reemplazar inmediatamente a tecnologías como DRAM, NAND o HBM.
Antes de llegar a productos comerciales será necesario resolver cuestiones relacionadas con la fabricación a gran escala, la densidad de almacenamiento, el consumo energético y la velocidad de funcionamiento.
Sin embargo, superar una resistencia de más de 10.000 millones de ciclos elimina una de las principales barreras que enfrentaba esta tecnología.
Para China, este tipo de investigación también tiene un componente estratégico. El país busca reducir su dependencia de proveedores extranjeros de semiconductores y memorias avanzadas. Si las memorias ferroeléctricas de wurtzita terminan convirtiéndose en una tecnología relevante, China podría posicionarse desde una etapa temprana en una nueva carrera tecnológica dentro de la industria de los chips.
